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自 1984 年以来一直是塑料板材、棒材、管材、型材和零件领域的领导者
+886 (3) 5515301
https://www.professionalplastics.com/
半导体
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Overview of Semiconductor
— 半导体工业塑料自 1984 年以来，Professional Plastics 一直是半导体行业使用的高性能塑料和陶瓷材料的主要供应商。我们提供范围广泛的高温、高纯度材料，为整个制造过程中的关键应用提供解决方案，包括晶圆清洗、蚀刻、光刻、抛光、切割、CVD、PVD、ECD、CMP、测试和封装。我们在全球主要半导体市场设有办事处，包括：圣何塞，新加坡和台湾。
文献与链接：
专业塑料半导体材料手册
视频 - 用于半导体行业的塑料
象限半导体材料指南
IC 测试和处理手册
Semiconductor ... our Products
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前端晶圆加工和处理
在半导体器件制造中，各种处理步骤分为四大类：沉积、去除、图案化和电性能修改。
沉积是将材料生长、涂覆或以其他方式转移到晶片上的任何工艺。可用的技术包括物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积 (CVD)、电化学沉积 (ECD)、分子束外延 (MBE) 以及最近的原子层沉积 (ALD) 等。
去除工艺是从晶片上批量或选择性去除材料的任何工艺，主要包括蚀刻工艺，湿法蚀刻或干法蚀刻。化学机械平面化 (CMP) 也是层间使用的去除工艺。
图案化涵盖了塑造或改变沉积材料现有形状的一系列工艺，通常称为光刻。例如，在传统的光刻中，晶片上涂有一种称为光刻胶的化学物质。光刻胶由步进器曝光，步进器是一种聚焦、对齐和移动掩模的机器，将晶圆的选定部分暴露在短波长光下。曝光区域被显影液洗掉。在蚀刻或其他处理之后，通过等离子灰化去除剩余的光刻胶。
电性能的修改历来包括最初通过扩散炉和后来通过离子注入掺杂晶体管源极和漏极。这些掺杂工艺之后是炉退火，或者在先进的设备中，是用于激活注入的掺杂剂的快速热退火 (RTA)。电气性能的改进现在还扩展到通过在 UV 处理 (UVP) 中暴露于紫外线来降低低 k 绝缘材料的介电常数。
湿凳和洁净室
自 1984 年以来，Professional Plastics 一直为半导体行业提供最广泛的优质、耐腐蚀塑料材料。 “湿式工作台”是用于湿法蚀刻和清洁晶圆和器件的工作站。各种湿式工作台在可用的特定工艺模块和每个工位允许的材料方面有所不同。一般使用的湿式工作台是用于非标材料的酸碱处理。半自动湿法蚀刻台，主要用于剥离光刻胶、去除划片灰尘和湿法氧化蚀刻。半导体加工和洁净室设备包括：自动湿法工作台、半自动湿法工作台、湿法工艺系统、洁净室设备和家具、通风柜、快速冲洗站、旋转冲洗干燥机、湿法蚀刻加工设备、化学品分配柜、湿法工艺系统、化学品处理设备、层流工作系统和罩、化学品输送车、酸处理站、化学流体管线和快速倾倒冲洗器。
后端 IC 制造和测试是各个设备（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线互连的地方。这通常在第一层金属沉积在晶片上时开始。 BEOL 包括用于芯片到封装连接的触点、绝缘层、金属层和键合位置。晶圆测试计量设备用于验证晶圆在测试之前没有被之前的处理步骤损坏。如果晶片上蚀刻的晶片——“最终将成为芯片的集成电路”——的数量超过了故障阈值（即一个晶片上有太多失败的晶片），则晶片将被报废，而不是投资于进一步的加工。
设备测试涉及对半导体设备进行各种电气测试，以确定它们是否正常工作。晶圆上发现性能正常的器件比例称为良率。制造商通常对其产量保密，但可能低至 30%。探针测试涉及使用电子测试仪测试晶片上的芯片，该电子测试仪将微小的探针压在芯片上。封装后还会再次测试芯片，因为可能缺少键合线，或者封装可能会改变模拟性能。这被称为“最终测试”。
晶圆测试是半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在这个步骤中，在晶圆被送去准备芯片之前执行，晶圆上的所有单个集成电路都通过对它们应用特殊的测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探测器的测试设备执行。晶圆测试的过程可以通过多种方式引用：Wafer Sort (WS)、Wafer Final Test (WFT)、Electronic Die 排序 (EDS) 和电路探测 (CP) 可能是最常见的。
Wafer Prober 是一种用于测试集成电路的机器。对于电气测试，一组称为探针卡的微观触点或探针被固定在适当的位置，同时将真空安装在晶圆卡盘上的晶圆移动到电气接触状态。当一个裸片（或裸片阵列）经过电气测试后，探测器将晶圆移动到下一个裸片（或阵列），然后可以开始下一个测试。晶圆探测器通常负责从载体（或盒子）装载和卸载晶圆，并配备有自动模式识别光学器件，能够以足够的精度对齐晶圆，以确保晶圆上的接触垫和尖端之间的准确对准。这 探针。
在半导体器件制造中，各种处理步骤分为四大类：沉积、去除、图案化和电性能修改。
沉积是将材料生长、涂覆或以其他方式转移到晶片上的任何工艺。可用的技术包括物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积 (CVD)、电化学沉积 (ECD)、分子束外延 (MBE) 以及最近的原子层沉积 (ALD) 等。
去除工艺是从晶片上批量或选择性去除材料的任何工艺，主要包括蚀刻工艺，湿法蚀刻或干法蚀刻。化学机械平面化 (CMP) 也是层间使用的去除工艺。
图案化涵盖了塑造或改变沉积材料现有形状的一系列工艺，通常称为光刻。例如，在传统的光刻中，晶片上涂有一种称为光刻胶的化学物质。光刻胶由步进器曝光，步进器是一种聚焦、对齐和移动掩模的机器，将晶圆的选定部分暴露在短波长光下。曝光区域被显影液洗掉。在蚀刻或其他处理之后，通过等离子灰化去除剩余的光刻胶。
电性能的修改历来包括最初通过扩散炉和后来通过离子注入掺杂晶体管源极和漏极。这些掺杂工艺之后是炉退火，或者在先进的设备中，是用于激活注入的掺杂剂的快速热退火 (RTA)。电气性能的改进现在还扩展到通过在 UV 处理 (UVP) 中暴露于紫外线来降低低 k 绝缘材料的介电常数。
湿凳和洁净室
自 1984 年以来，Professional Plastics 一直为半导体行业提供最广泛的优质、耐腐蚀塑料材料。 “湿式工作台”是用于湿法蚀刻和清洁晶圆和器件的工作站。各种湿式工作台在可用的特定工艺模块和每个工位允许的材料方面有所不同。一般使用的湿式工作台是用于非标材料的酸碱处理。半自动湿法蚀刻台，主要用于剥离光刻胶、去除划片灰尘和湿法氧化蚀刻。半导体加工和洁净室设备包括：自动湿法工作台、半自动湿法工作台、湿法工艺系统、洁净室设备和家具、通风柜、快速冲洗站、旋转冲洗干燥机、湿法蚀刻加工设备、化学品分配柜、湿法工艺系统、化学品处理设备、层流工作系统和罩、化学品输送车、酸处理站、化学流体管线和快速倾倒冲洗器。
后端 IC 制造和测试是各个设备（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线互连的地方。这通常在第一层金属沉积在晶片上时开始。 BEOL 包括用于芯片到封装连接的触点、绝缘层、金属层和键合位置。晶圆测试计量设备用于验证晶圆在测试之前没有被之前的处理步骤损坏。如果晶片上蚀刻的晶片——“最终将成为芯片的集成电路”——的数量超过了故障阈值（即一个晶片上有太多失败的晶片），则晶片将被报废，而不是投资于进一步的加工。
设备测试涉及对半导体设备进行各种电气测试，以确定它们是否正常工作。晶圆上发现性能正常的器件比例称为良率。制造商通常对其产量保密，但可能低至 30%。探针测试涉及使用电子测试仪测试晶片上的芯片，该电子测试仪将微小的探针压在芯片上。封装后还会再次测试芯片，因为可能缺少键合线，或者封装可能会改变模拟性能。这被称为“最终测试”。
晶圆测试是半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在这个步骤中，在晶圆被送去准备芯片之前执行，晶圆上的所有单个集成电路都通过对它们应用特殊的测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探测器的测试设备执行。晶圆测试的过程可以通过多种方式引用：Wafer Sort (WS)、Wafer Final Test (WFT)、Electronic Die 排序 (EDS) 和电路探测 (CP) 可能是最常见的。
Wafer Prober 是一种用于测试集成电路的机器。对于电气测试，一组称为探针卡的微观触点或探针被固定在适当的位置，同时将真空安装在晶圆卡盘上的晶圆移动到电气接触状态。当一个裸片（或裸片阵列）经过电气测试后，探测器将晶圆移动到下一个裸片（或阵列），然后可以开始下一个测试。晶圆探测器通常负责从载体（或盒子）装载和卸载晶圆，并配备有自动模式识别光学器件，能够以足够的精度对齐晶圆，以确保晶圆上的接触垫和尖端之间的准确对准。这 探针。
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