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반도체 산업 플라스틱
1984 '이후 직업적인 플라스틱은 고성능 플라스틱, 반도체 산업에 사용되는 세라믹 재료의 최고 공급되었다. 우리는 웨이퍼 클렌징, 에칭, 리소그래피, 연마, 다이 싱, CVD, PVD, ECD, CMP, 테스트, 및 포장의 제조 공정 전반에 걸쳐 중요한 애플리케이션에 대한 솔루션을 제공, 고순도 재료 고온의 넓은 범위를 제공합니다. 우리는 주요 반도체 시장을 포함한 전세계의 위치를 ​​유지; 산호세, 싱가포르 및 대만.

문학 & 링크 :
직업적인 플라스틱 반도체 재료 브로셔
영상 - 반도체 공업을위한 플라스틱
쿼드런트 세미콘 재료 가이드
IC 테스트 및 취급 브로셔
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프런트 엔드 웨이퍼 가공 및 취급
전기적 특성의 증착, 제거, 패터닝 및 변 반도체 장치의 제조에서, 다양한 프로세싱 단계는 네 가지 범주로 분류된다.

증착은 웨이퍼 상에 물질을 전달 그렇지 코트, 성장, 또는 임의의 공정이다. 가능한 기술은 물리 기상 증착 (PVD), 화학 기상 증착 (CVD), 전기 화학 증착 (ECD), 분자 빔 에피 택시 (MBE) 및 더 최근에, 원자 층 증착 (ALD) 중 다른 이루어져있다.

제거 공정, 습식 식각 또는 건식 식각를 웨이퍼 일괄 또는 선택적으로 하나에서 물질을 제거하고 주로 에칭 프로세스로 구성되어 그 어떤 있습니다. 화학적 - 기계적 평탄화 (CMP)도 레벨 사이에 사용되는 제거 공정이다.

패터닝 형상 또는 증착 재료의 기존 형상을 변화시키고 일반적으로 리소그래피라고도 일련의 처리를 포함한다. 예를 들어, 종래의 리소그래피에서, 웨이퍼는 포토 레지스트 불리는 화학적으로 코팅된다. 포토 레지스트는 스텝퍼, 단파장 광에 웨이퍼의 선택 부분을 노출, 초점을 정렬하고, 마스크를 이동 기계에 의해 노출된다. 노출 된 영역은 현상액에 의해 씻겨 있습니다. 에칭 또는 다른 처리 후에, 남은 포토 레지스트는 플라즈마 애싱에 의해 제거된다.

전기적 특성의 수정은 역사적으로 원래 확산 용광로에 의해 나중에 이온 주입에 의해 트랜지스터의 소스와 드레인을 도핑로 구성되어있다. 이러한 도핑 공정은 노 어닐링 또는 주입 된 불순물을 활성화하는 역할을 급속 열 어닐링 (RTA)에 의해 고급 장치에 따른다. 전기적 특성의 수정은 이제 UV 처리에 자외선 (UVP)에 노출을 통해 절연 재료 저 유전율의 유전 상수의 감소로 확장합니다.

젖은 벤치 및 클린 룸
1984 년부터, 직업적인 플라스틱은 반도체 산업에 우수한 내 부식성 플라스틱 재료의 넓은 다양성을 공급하고있다. "젖은 벤치는"습식 식각 및 웨이퍼 및 장치를 청소하는 기기입니다. 다양한 젖은 벤치 사용할 수있는 특정 프로세스 모듈 및 각 역에서 허용되는 자료에 차이가 있습니다. 일반적으로 사용 젖은 벤치가 아닌 표준 물질의 산 또는 염기 처리를위한 것입니다. 주로, 포토 레지스트 스트리핑 스크라이브 먼지와 웨트 에칭을 산화 제거하기 위해 습식 에칭을 벤치 반자동. 반도체 공정 및 클린 룸 장비는 포함한다; 자동 젖은 벤치, 반자동 젖은 벤치, 습식 공정 시스템, 클린 룸 장비 및 가구, 흄 후드, 빠른 헹굼 스테이션, 스핀 린서 드라이어, 습식 에칭 가공 장비, 화학 배전반, 습식 시스템, 화학 처리 장비, 층류 일 시스템 및 후드, 화학 배달 카트, 산 처리 스테이션, 화학 유체 라인과 빠른 덤프 청결제.

각각의 디바이스 (트랜지스터, 커패시터, 레지스터, 등) 웨이퍼상의 배선 상호 얻을 여기서 백엔드 IC 제작 및 시험이다. 금속의 제 1 층이 웨이퍼 상에 퇴적 될 때 일반적으로 시작된다. BEOL는 칩 - 대 - 패키지 연결 연락처, 절연 층, 금속 농도, 및 결합 부위를 포함한다. 웨이퍼 테스트 계측 장비는 이전의 처리가 시험 때까지 단계에서 웨이퍼가 손상되지 않았 음을 확인하는 데 사용됩니다. 웨이퍼 상에 에칭 "결국 chipsâÇ해질 것이다 집적 회로"diesâÇ 수가 실패 임계치 (즉, 하나의 웨이퍼에 너무 많은 실패 다이)를 초과하면, 웨이퍼는 추가 처리 대신에 투자보다 폐기된다.

시험 장치가 제대로 작동하는지 확인하기 위해 전기 테스트의 다양한 반도체 장치를 쓰는 것을 포함한다. 적절하게 수행 할 수있는 웨이퍼상의 장치들의 비율을 수율로 지칭된다. 제조업체는 전형적으로 약 수율 비밀이지만, 이것은 30 % 정도로 낮을 수있다. 프로브 테스트 칩에 대하여 작은 프로브 프레스 테스터 전자 웨이퍼상의 칩을 테스트하는 것을 포함한다. 본드 와이어가 누락 될 수 있으므로 칩은 또한, 포장 후에 다시 테스트 또는 아날로그 성능은 패키지에 의해 변경 될 수있다. 이를 "파이널 테스트"로 지칭된다.

테스트 웨이퍼는 반도체 디바이스의 제조 동안 수행되는 단계이다. 이 단계 동안에, 웨이퍼가 제조 다이 전송되기 전에, 웨이퍼 상에 존재하는 모든 개별 집적 회로가 그들에 특별한 테스트 패턴을 적용함으로써 기능적 결함 테스트 수행. 테스트 웨이퍼는 웨이퍼 프로 버 불리는 테스트 장비에 의해 처리된다. 웨이퍼 테스트 공정은 여러 방법으로 지칭 될 수있다 : 웨이퍼 정렬 (WS), 파이널 테스트 웨이퍼 (WFT), 전자 다이 정렬 (EDS) 및 회로 프로브 (CP)는 아마도 가장 일반적이다.

웨이퍼 프로 버는 집적 회로들을 테스트하는 데 사용되는 기계이다. 웨이퍼가 장착 된 진공 척에 웨이퍼가 전기적으로 접촉 이동시키면서 전기 테스트 용 프로브 카드라는 미세한 콘택트 나 프로브 세트는 제 위치에 유지된다. (주사위 또는 배열) 다이가 전기적으로 테스트 한 때 프로 버 다음 다이 (또는 배열)에 웨이퍼를 이동하고 다음 테스트를 시작할 수 있습니다. 웨이퍼 프로 버는 일반적으로 로딩 및 그들의 담체 (또는 카세트)로부터 웨이퍼를 언 로딩을 담당하고 웨이퍼상의 콘택 패드의 선단 사이에 정확한 등록을 보장하기 위해 충분한 정밀도로 웨이퍼를 정렬 할 수있는 자동 패턴 인식 광학 갖추고 프로브.

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