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湿法 - 台晶圆厂(3559-WB)
湿法 - 台式工厂
湿台用于晶圆厂清理碎片和/或从晶片上蚀刻掉不需要或不再需要的薄膜。它们也被用来为整个过程中的下一步准备晶圆表面。经常使用不太复杂的湿式长凳来清洁石英和其他...
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半导体

半导体
半导体工业塑料
自1984年以来,Professional Plastics一直是半导体行业用高性能塑料和陶瓷材料的主要供应商。我们提供多种高温,高纯度材料,为晶圆清洁,蚀刻,光刻,抛光,切割,CVD,PVD,ECD,CMP,测试和包装等整个制造过程中的关键应用提供解决方案。我们在全球主要半导体市场保持着地理位置,圣何塞,新加坡和台湾。

文学和链接:
专业塑料半导体材料手册
视频 - 半导体行业的塑料
象限半导体材料指南
IC测试和处理手册
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前端晶圆加工和处理
在半导体器件制造的各种加工步骤可分为四大类:沉积,去除,图案和修改电气性能。

沉积是任何成长,外套,或其它材料转移到晶片上的过程。可用的技术包括物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD),电化学沉积(ECD),分子束外延(MBE)和最近,原子层沉积(ALD)等的。

去除工艺是任何从晶片大量或选择性地移除材料并主要由蚀刻工艺,无论是湿蚀刻或干蚀刻。化学机械平坦化(CMP)也是水平之间使用的去除处理。

构图覆盖一系列形状或改变所沉积的材料的现有形状,并且通常被称为光刻工艺。例如,在常规的光刻技术,在晶片上涂有一种称为光致抗蚀剂化学。光致抗蚀剂是由一个步进,一台机器,重点,对齐,并移动掩模,露出晶片的选择的部分,以短波长光曝光。在曝光区域由显影剂溶液洗掉。蚀刻或其他处理后,将剩余的光致抗蚀剂是通过等离子灰化除去。

修改电气性能历来由掺杂晶体管源极和漏极最初由扩散炉和以后由离子注入。这些掺杂工艺之后是炉退火或在先进的设备,通过快速热退火(RTA),其用于激活注入的掺杂剂。变形例的电性能的现在也延伸到在低k通过暴露于紫外线光中的紫外线处理(UVP)绝缘材料减少介电常数。

湿长凳和洁净室
自1984年以来,专业塑料已经提供了最广泛的优质,耐腐蚀的塑料材料,半导体行业。 “湿长凳”是站湿法刻蚀和清洗硅片及设备。各种湿式工作台的不同之处可在特定的处理模块,并在每个站所允许的材料。一般使用的湿长凳是非标准的材料的酸或碱的处理。半自动化的湿法刻蚀板凳,主要用于光刻胶剥离,去除划痕灰尘和潮湿的氧化腐蚀。半导体加工,洁净室设备包括:自动化的湿长凳,半自动化的湿长凳,湿法工艺系统,洁净室设备和家具,通风柜,快速冲洗站,旋冲瓶机,湿法刻蚀加工设备,化工配电柜,湿法工艺系统,化学处理设备,层流工作系统与引擎盖,化工交付推车,酸加工站,化工流体线和快速转储Rinsers。

后端IC制造和测试是其中各个装置(晶体管,电容器,电阻器等)获得相互连接的晶片上布线。这通常开始时沉积在晶片上的金属的第一层。 BEOL包括触点,绝缘层,金属层级,以及键合部位为芯片到封装的连接。晶片测试测量仪器被用来验证晶片没有受到损害由先前的处理步骤直到测试。如果diesâÇ的“集成电路,最终将成为chipsâÇ”蚀刻的晶片上的数量超过故障阈值(即太多次失败的金属模具上的一个晶片),晶片报废而不是投资于进一步的处理。

设备测试涉及使半导体器件的各种电测试,以确定它们是否正常工作。设备发现正确执行晶片上的比例被称为产率。制造商通常隐秘关于他们的产量,但它可以是低至30%。探针测试涉及用电子仪按压微型探针对芯片测试芯片在晶片上。芯片也再次测试包装后,作为接合线可能会丢失,或者模拟性能可能由包被改变。这被称为“最后的测试”。

晶片测试是半导体器件的制造过程中执行的步骤。在该步骤中,执行之前的晶片被发送到死制备,所有的各集成电路中存在在晶片上通过施加特殊的测试模式,以他们测试功能缺陷。晶片测试由一块测试设备称为晶片探针进行。晶圆测试的过程中可被称为在几个方面:晶圆排序(WS),晶圆最终测试(WFT),电子模 排序(EDS)和Circuit探头(CP)可能是最常见的。

晶片检测器是用来测试集成电路机器。用于电测试的一组显微触头或探针称为探针卡被保持在适当位置,而晶片,真空安装在晶片卡盘,被移动到电接触。当的模具(模具的或阵列)已经被电测试探针移动晶片到下一裸片(或阵列)和下一个测试可以开始。根据晶片探针通常是负责加载和从它们的载体(或暗盒)卸载晶片和装有能够对准以足够的精度的晶片,以确保在晶片上的接触垫和所述尖端之间精确配准的自动模式识​​别光学该 探头。

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