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自1984年以來',專業塑料一直是高性能塑料和在半導體工業中使用的陶瓷材料的主要供應商。我們提供了一個寬範圍的高溫,高純度的材料,其在整個晶片從清洗,蝕刻,光刻,拋光,切割,CVD,PVD,ECD,CMP,測試和包裝的製造工序的關鍵應用提供解決方案。我們維持在主要的半導體市場,包括全球位置;聖何塞,新加坡和台灣。

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前端晶圓加工和處理
在半導體器件製造的各種加工步驟可分為四大類:沉積,去除,圖案和修改電氣性能。

沉積是任何成長,外套,或其它材料轉移到晶片上的過程。可用的技術包括物理氣相沉積(PVD),化學氣相沉積(CVD),電化學沉積(ECD),分子束外延(MBE)和最近,原子層沉積(ALD)等的。

去除工藝是任何從晶片大量或選擇性地移除材料並主要由蝕刻工藝,無論是濕蝕刻或幹蝕刻。化學機械平坦化(CMP)也是水平之間使用的去除處理。

構圖覆蓋一系列形狀或改變所沉積的材料的現有形狀,並且通常被稱為光刻工藝。例如,在常規的光刻技術,在晶片上塗有一種稱為光致抗蝕劑化學。光致抗蝕劑是由一個步進,一台機器,重點,對齊,並移動掩模,露出晶片的選擇的部分,以短波長光曝光。在曝光區域由顯影劑溶液洗掉。蝕刻或其他處理後,將剩餘的光致抗蝕劑是通過等離子灰化除去。

修改電氣性能歷來由摻雜晶體管源極和漏極最初由擴散爐和以後由離子注入。這些摻雜工藝之後是爐退火或在先進的設備,通過快速熱退火(RTA),其用於激活注入的摻雜劑。變形例的電性能的現在也延伸到在低k通過暴露於紫外線光中的紫外線處理(UVP)絕緣材料減少介電常數。

濕長凳和潔淨室
自1984年以來,專業塑料已經提供了最廣泛的優質,耐腐蝕的塑料材料,半導體行業。 “濕長凳”是站濕法刻蝕和清洗矽片及設備。各種濕式工作台的不同之處可在特定的處理模塊,並在每個站所允許的材料。一般使用的濕長凳是非標準的材料的酸或鹼的處理。半自動化的濕法刻蝕板凳,主要用於光刻膠剝離,去除划痕灰塵和潮濕的氧化腐蝕。半導體加工,潔淨室設備包括:自動化的濕長凳,半自動化的濕長凳,濕法工藝系統,潔淨室設備和家具,通風櫃,快速沖洗站,旋衝瓶機,濕法刻蝕加工設備,化工配電櫃,濕法工藝系統,化學處理設備,層流工作系統與引擎蓋,化工交付推車,酸加工站,化工流體線和快速轉儲Rinsers。

後端IC製造和測試是其中各個裝置(晶體管,電容器,電阻器等)獲得相互連接的晶片上佈線。這通常開始時沉積在晶片上的金屬的第一層。 BEOL包括觸點,絕緣層,金屬層級,以及鍵合部位為芯片到封裝的連接。晶片測試測量儀器被用來驗證晶片沒有受到損害由先前的處理步驟直到測試。如果diesâÇ的“集成電路,最終將成為chipsâÇ”蝕刻的晶片上的數量超過故障閾值(即太多次失敗的金屬模具上的一個晶片),晶片報廢而不是投資於進一步的處理。

設備測試涉及使半導體器件的各種電測試,以確定它們是否正常工作。設備發現正確執行晶片上的比例被稱為產率。製造商通常隱秘關於他們的產量,但它可以是低至30%。探針測試涉及用電子儀按壓微型探針對芯片測試芯片在晶片上。芯片也再次測試包裝後,作為接合線可能會丟失,或者模擬性能可能由包被改變。這被稱為“最後的測試”。

晶片測試是半導體器件的製造過程中執行的步驟。在該步驟中,執行之前的晶片被發送到死製備,所有的各集成電路中存在在晶片上通過施加特殊的測試模式,以他們測試功能缺陷。晶片測試由一塊測試設備稱為晶片探針進行。晶圓測試的過程中可被稱為在幾個方面:晶圓排序(WS),晶圓最終測試(WFT),電子模 排序(EDS)和Circuit探頭(CP)可能是最常見的。

晶片檢測器是用來測試集成電路機器。用於電測試的一組顯微觸頭或探針稱為探針卡被保持在適當位置,而晶片,真空安裝在晶片卡盤,被移動到電接觸。當的模具(模具的或陣列)已經被電測試探針移動晶片到下一裸片(或陣列)和下一個測試可以開始。根據晶片探針通常是負責加載和從它們的載體(或暗盒)卸載晶片和裝有能夠對準以足夠的精度的晶片,以確保在晶片上的接觸墊和所述尖端之間精確配準的自動模式識別光學該 探頭。

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